공대생 예디의 블로그

안녕하세요. 이번에 삼성전자에서 자랑하는 GAA FET 공정에 대해 먼저 알아보기 전에 MOSFET에 대해서 알아보고자 합니다. MOSFET은 BJT 다음으로 나온 소자입니다. BJT보다는 성능과 집적도 면에서 훨씬 앞서갑니다. MOSFET 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 스위칭 목적 및 전자 장치의 전자 신호 증폭에 널리 사용되는 반도체 장치 종류 : N형 방도체 P형 반도체 Source(소스, S), Gate(게이트 , G), Drain(드레인, D), Body(바디, B) MOSFET의 구조 MOSFET의 기능은 캐리어(정공 또는 전자)의 흐름과 함께 채널 폭에서 발생하는 전기적 변화에 따라 달라집니다. 전하 캐리어는 소스 단자를 통해 채널로 들어가고 드레인을 통해 나갑니다. 채널의 너비는 ..

공통 소스 증폭기에 대해 배우기 전에 전자 회로에서 증폭기를 설명해 보겠습니다. 공부를 하고 있는 중이니 틀린 부분이 있으면 알려주시면 감사하겠습니다. 증폭기 위상 변화 및 주파수 없이 입력 신호의 강도 또는 진폭을 높이는 데에 사용 증폭기 회로는 FET 또는 BJT로 구성 BJT보다 FET을 사용하는 증폭기 회로의 장점은 입력 신호에서 높은 입력 임피던스, 높은 전압 이득 및 낮은 잡음을 생성하기 때문에 소신호 증폭기로 사용 FET은 소스, 드레인 및 게이트의 세 가지 단자가 있는 전압 제어 장치여서 단자를 기반으로 공통소스, 공통드레인, 공통게이트 증폭기 회로로 3개의 증폭기로 구성 공통소스 증폭기는 높은 입력 및 출력 임피던스를 생성 할 수 있고 성능도 높기 때문에 다른 증폭기 회로보다 가장 널리 ..