공대생 예디의 블로그

NMOS와 PMOS 트랜지스터 차이점 정리 NMOS 트랜지스터 PMOS 트랜지스터 소스 및 드레인은 N 형 반도체로 구성 소스 및 드레인은 P 형 반도체로 구성 기판과 바디는 P 형 반도체로 구성 기판 / 바디는 N 형 반도체로 구성 전자가 대다수 캐리어 (N 형) 정공이 대다수 캐리어 (P 형) 임계 전압은 양수 문턱 전압은 음수 전자의 이동성이 정공의 이동성보다 크기 때문에 더 빠르게 전환 가능 구멍이 주요 캐리어이기 때문에 스위칭 속도가 느림 NMOS 트랜지스터의 바이어스 방식 바이어스 방식을 사용하기 위해 바디 터미널을 접지 터미널에 연결하였습니다. 소스 터미널 또한 접지와 연결합니다. 그다음 VGS 전압 공급을 접지와 게이트 터미널 사이에 연결합니다. 이것은 제어 전압이 됩니다. 다음으로 소스와..

안녕하세요. MOSFET의 간단한 개념, 동작원리, 종류는 여기를 참고해주세요! MOSFET의 개념 안녕하세요. 이번에 삼성전자에서 자랑하는 GAA FET 공정에 대해 먼저 알아보기 전에 MOSFET에 대해서 알아보고자 합니다. MOSFET은 BJT 다음으로 나온 소자입니다. BJT보다는 성능과 집적도 면에서 훨 yeji1214.tistory.com MOSFET이 하는 역할은 스위칭과 신호를 증폭시키는 데 사용됩니다. 그중에서 MOSFET의 스위칭 특성을 정리해보겠습니다. 이상적인 스위치 특성 MOSFET이 이상적인 스위치로 작동해야 하는 경우 아래 특성을 유지해야 합니다. ON 상태에서 전달하는 전류 제한이 있어야 합니다. OFF 상태에서 차단 전압 레벨은 어떠한 제한도 유지해서는 안됩니다. 장치가 O..

안녕하세요. 이번에 삼성전자에서 자랑하는 GAA FET 공정에 대해 먼저 알아보기 전에 MOSFET에 대해서 알아보고자 합니다. MOSFET은 BJT 다음으로 나온 소자입니다. BJT보다는 성능과 집적도 면에서 훨씬 앞서갑니다. MOSFET 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 스위칭 목적 및 전자 장치의 전자 신호 증폭에 널리 사용되는 반도체 장치 종류 : N형 방도체 P형 반도체 Source(소스, S), Gate(게이트 , G), Drain(드레인, D), Body(바디, B) MOSFET의 구조 MOSFET의 기능은 캐리어(정공 또는 전자)의 흐름과 함께 채널 폭에서 발생하는 전기적 변화에 따라 달라집니다. 전하 캐리어는 소스 단자를 통해 채널로 들어가고 드레인을 통해 나갑니다. 채널의 너비는 ..

1. BJT(Bipolar Junction Transistor) 1) BJT는 단자 중 하나에 작은 전류를 주입하여 두 개의 다른 단자 사이에 흐르는 훨씬 더 큰 전류를 제어 할 수 있도록 하여 장치를 증폭하거나 전환 할 수 있다 2) 구조 pnp 또는 npn의 형태를 띄고 있다. 3) 동작 영역 BJT의 동작영역은 OFF, Forward active, Saturation 3가지 영역으로 동작한다. Cutoff 영역 : Base에 전류가 흐르지 않아 동작하지 않는구간 Active mode(활성영역) : Base-Emitter에 순방향 전압, Base-Collector에 역방향 전압일 때 전류가 비교적 일정해지며 BJT는 보통 이 구간에서 사용 Saturation mode(포화영역) : Base-Emitt..