BJT와 MOSFET의 차이

1. BJT(Bipolar Junction Transistor)

1) BJT는 단자 중 하나에 작은 전류를 주입하여 두 개의 다른 단자 사이에 흐르는 훨씬 더 큰 전류를 제어 할 수 있도록 하여 장치를 증폭하거나 전환 할 수 있다

2) 구조

pnp 또는 npn의 형태를 띄고 있다.

3) 동작 영역

BJT의 동작영역은 OFF, Forward active, Saturation 3가지 영역으로 동작한다.

Cutoff 영역 : Base에 전류가 흐르지 않아 동작하지 않는구간

Active mode(활성영역) : Base-Emitter에 순방향 전압, Base-Collector에 역방향 전압일 때 전류가 비교적 일정해지며 BJT는 보통 이 구간에서 사용

Saturation mode(포화영역) : Base-Emitter에 순방향 전압을 주고 입력전압을 높여주면 Vce도 증가하여 전자들이 별 저항없이 베이스에서 컬랙터로 이동(Vce가 증가함에 따라 Ic가 일정하게 유지될 때까지 증가)

 

2. MOSFET

1) 공핍형 MOSFET : 물리적으로 미리 심어진 채널을 가지고 있는 구조( 주로 고주파 RF 증폭기 등에서 일부 사용)

2) 증가형 MOSFET : 정상동작을 위해서는 채널을 유기할 필요가 있는 구조(대부분 증가형만 사용)

* 구분 방법 : 채널이 미리 만들어지느냐, 채녈이 유기될 필요가 있는지 ( 구조적으로 동일모양)

3) 증가형 MOSFET

· 특징 : 전도채널을 유기할 필요 있음, Vg > Vth (Vg : 인가 필요한 게이트 전압, Vth : 문턱전압)

· Vg = 0 이면, 전도채널이 형성되지 않아, 차단상태

· 전압(전계)로써 전류를 제어

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비교 표

 

비교 표

	BJT	FET
기본동작원리	전류로서 전류를 제어	전압(전계)로써 전류를 제어
반송자 종류	Biploar 소자(쌍극성) 자유전자와 정공이 모두 전도 현상에 참여	Unipolar 소자 (단극성) 자유전자와 정공 중 하나만이 전도현상에 참여
단자의 명칭	Base/Emitter/Collector	Gate/Source/Drain
장점	스피드가 빠르다 전류 용량이 크다	입력 임피던스가 크다 온도에 덜 예민하다 제조가 간편하다 : IC제조에 용이 동작 해석의 단순
소자의 구분	NPN, PNP	N채널, P채널